导体表面粗糙度

频率越高，波长越短，信号在导体间行进，将只集中在导体的表面，即所謂：趋肤效应

导体表面粗糙度越平坦对信号传输越有利。

改善方向

反转铜箔（RTF）的开发即因应此需求而产生，近年來反转铜箔的技術日趋成熟。

影响铜箔基板综合 Dk 之因素

树脂 (环氧树脂Dk : 3 ~ 4)

玻璃纤维布(Dk : 6 ~ 7)

树脂重量比率 (Prepreg : 含胶量 RC%)

铜箔

按制作工艺可分为

电解铜箔（Electrodeposited copper foil ）

电解铜箔：经电解生产的铜箔  **ED表示电解铜箔 

电解铜箔紧贴鼓面的比较光滑，为光面；相反面比较粗糙，为哑光面。

电解铜箔的生产制造方式如下图。

压延铜箔（rolled-wrought copper foil）：

压延铜箔：经连续冷轧，降低铜坯的厚度，延长长度，压延而生产的铜箔； *R表示压延铜箔                                                                         

压延铜箔其两面的表面粗糙度取决于工艺条件，Rogers使用的压延铜箔表面都比较光滑。   

压延铜箔的生产制造方式如下图：

电解铜箔 VS 压延铜箔：

电解铜箔：

优点：價格便宜；可有各種尺寸與厚度；

缺點：延展性差； 應力極高無法撓曲又很容易折斷；

壓延铜箔：

優點：延展性Ductility高，對FPC使用於動態環境下，信 賴度極佳；低的表面稜線Low-profile Surface，對於一些 Microwave電子應用是很有利；

缺點：和基材的附著力不好；成本較高；因技術問題,寬度受限。

按铜箔性能可分为：

高温延伸性铜箔（HTE：High temperature elongation  electrodeposited）;

反面处理铜箔（RTF：Reverse treated copper foil） ;

双面处理铜箔（DST：double-side treatment copper  foil）;

超低菱线铜箔（VLP：Very low profile copper foil） ;

超薄铜箔（UTF：Ultra thin copper foil） ;

标准电解铜箔 （STD）；

高温延伸性铜箔（HTE：High temperature  elongation electrodeposited）;

多层印制电路板在压合时的热量会使铜箔发生再结晶 现象，故需铜箔在高温（180℃）下仍保持常温时的 稳定性。其特点主要表现在：尺寸稳定性，高柔韧性， 多用于FR-4材质的多层板中。

反面处理铜箔（RTF：Reverse treated copper foil）  基板铜箔之光面朝内毛面朝外，其意义主要有：

改善良品率：

减少短路：由于其黏着表面菱线非常低，蚀刻时不会有残铜发生；

减少断路：由于干膜可以黏着的相当强固，所以断路之缺陷可以减 至最低；

速度提升：蚀刻速度较快，棕黑化处理较迅速；

无需微蚀；

线路可靠性：

线间及层间具有较好的绝缘功能；

具有高的蚀刻因子；

双面处理铜箔（DST：double-side treatment copper  foil）

两面处理(Double treatment)指光面及粗面皆做粗化处理，严格来说，此法的应用己有20年的历史，但今日为降低多层板的COST而使用者渐多．该法是在光面做粗化处理，该面就压在胶片上，所做成基板的铜面为粗面，因此对后制亦有帮助。

超低菱线铜箔（VLP：Very low profile copper foil）                                                       

硅化处理(Low profile) 传统铜箔粗面处理其ToothProfile (棱线)粗糙度(波峰波谷)，不利于细线路的制造 (影响蚀刻时间,造成over-etch过度蚀刻)，因此必须设法降低 棱线的高度。

超薄铜箔（UTF：Ultra thin copper foil）

一般所说的薄铜箔是指 0.5 oz (17.5 micron ) 以下，下表三种厚度则 称超薄铜箔 ；

3/8 oz 以下因本身太薄很不容易操作故需要另加载体 才能做各种操作(称复合式copper foil)，一类是以传统 ED 铜箔为载体，厚约2mil。另一类载体是铝箔，厚度约3 mil。两者使用之前须将载体撕离。补救之道是降低电流密度，让结晶变细。细线路，尤其是4 mil以下更需要超薄铜箔，以减少蚀刻 时的过蚀与侧蚀。